GeneSiC Semiconductor - MBR400150CTR

KEY Part #: K6468950

MBR400150CTR 価格設定(USD) [2009個在庫]

  • 1 pcs$22.51666
  • 25 pcs$22.40463

品番:
MBR400150CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 400A Reverse
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR400150CTR electronic components. MBR400150CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR400150CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR400150CTR 製品の属性

品番 : MBR400150CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 880mV @ 200A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 150V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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