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Microsemi Corporation - 1N6625US

KEY Part #: K6452282

1N6625US 価格設定（USD） [6909個在庫]

  • 1 pcs$7.31121
  • 10 pcs$6.64487
  • 25 pcs$6.14653
品番:
1N6625US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6625US electronic components. 1N6625US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6625US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6625US 製品の属性

品番 : 1N6625US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1100V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.75V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 60ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 1100V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : A-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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