CSD22202W15 価格設定（USD） [408211個在庫]
- 1 pcs$0.09061
- 3,000 pcs$0.08970
- 品番:
- CSD22202W15
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD22202W15 electronic components. CSD22202W15 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD22202W15, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD22202W15 製品の属性
品番 :
CSD22202W15
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12.2 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
-6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1390pF @ 4V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
9-DSBGA
パッケージ/ケース :
9-UFBGA, DSBGA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM42N20
- ON5194,127
- IRFC3004EB
- NDBA170N06AT4H
- VP0808B-E3
- IRF8308MTR1PBF
- JAN2N6798U
- APTC90DAM60T1G
- FDMS2506SDC
- IRFW540ATM
- SIR840DP-T1-GE3
- SIB412DK-T1-GE3
- NTD4857N-1G
- SI7107DN-T1-E3
- IPP25N06S325XK
- IRF6619TRPBF
- FDZ208P
- FQI50N06LTU
- FDB4020P
- IRFU3709ZPBF
- GA05JT12-247
- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
- SI4686DY-T1-GE3
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- BUK7M12-40EX
- PMV25ENEAR