SGP10N60RUFDTU 価格設定（USD） [43906個在庫]
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- 品番:
- SGP10N60RUFDTU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 16A 75W TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor SGP10N60RUFDTU electronic components. SGP10N60RUFDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SGP10N60RUFDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SGP10N60RUFDTU 製品の属性
品番 :
SGP10N60RUFDTU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 16A 75W TO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
16A
電流-パルスコレクター（Icm） :
30A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.8V @ 15V, 10A
パワー-最大 :
75W
スイッチングエネルギー :
141µJ (on), 215µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
30nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
15ns/36ns
試験条件 :
300V, 10A, 20 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
60ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
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