S1AFM-M3/6B 価格設定（USD） [1160314個在庫]
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- 品番:
- S1AFM-M3/6B
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 1000V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1AFM-M3/6B electronic components. S1AFM-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1AFM-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1AFM-M3/6B 製品の属性
品番 :
S1AFM-M3/6B
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 1A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1.47µs
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
7.9pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-221AC, SMA Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-221AC (SlimSMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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-
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 1000V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
ホットパーツ
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
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- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18