Taiwan Semiconductor Corporation - HS3K V6G

KEY Part #: K6426521

HS3K V6G 価格設定(USD) [838004個在庫]

  • 1 pcs$0.04414

品番:
HS3K V6G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB. Rectifiers 75ns 3A 800V Hi Eff Recov Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS3K V6G electronic components. HS3K V6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS3K V6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3K V6G 製品の属性

品番 : HS3K V6G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 50pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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