GeneSiC Semiconductor - MBR400200CTR

KEY Part #: K6468672

MBR400200CTR 価格設定(USD) [1194個在庫]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$22.40463

品番:
MBR400200CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 400A Reverse
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR400200CTR electronic components. MBR400200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR400200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR400200CTR 製品の属性

品番 : MBR400200CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 920mV @ 200A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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