IXYS - MID75-12A3

KEY Part #: K6532902

MID75-12A3 価格設定(USD) [1881個在庫]

  • 1 pcs$24.29354
  • 6 pcs$24.17268

品番:
MID75-12A3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOD IGBT RBSOA 1200V 900A Y3-DCB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MID75-12A3 electronic components. MID75-12A3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MID75-12A3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MID75-12A3 製品の属性

品番 : MID75-12A3
メーカー : IXYS
説明 : MOD IGBT RBSOA 1200V 900A Y3-DCB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 90A
パワー-最大 : 370W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.7V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 4mA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.3nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Y4-M5
サプライヤーデバイスパッケージ : Y4-M5

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.