Diodes Incorporated - 1N5407G-T

KEY Part #: K6450748

1N5407G-T 価格設定(USD) [293個在庫]

  • 1,200 pcs$0.03002
  • 2,400 pcs$0.02610
  • 6,000 pcs$0.02349
  • 12,000 pcs$0.02088
  • 30,000 pcs$0.01958
  • 60,000 pcs$0.01736

品番:
1N5407G-T
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers 3.0A 800V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated 1N5407G-T electronic components. 1N5407G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407G-T 製品の属性

品番 : 1N5407G-T
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 40pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS20LT1

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • MA3XD1500L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3.

  • MMBD914

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MA3X15800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 200V 100MA MINI3.

  • MBR1645/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AB.

  • MBR10H100/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC.