Global Power Technologies Group - GP1M007A090FH

KEY Part #: K6402625

[2639個在庫]


    品番:
    GP1M007A090FH
    メーカー:
    Global Power Technologies Group
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 900V 7A TO220F.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M007A090FH 製品の属性

    品番 : GP1M007A090FH
    メーカー : Global Power Technologies Group
    説明 : MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 49nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1969pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 40.3W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
    パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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