TH58NYG2S3HBAI4 価格設定（USD） [13416個在庫]
- 1 pcs$3.41542
- 品番:
- TH58NYG2S3HBAI4
- 詳細な説明:
- 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、PMIC-RMSからDCへのコンバーター, ロジック-FIFOメモリ, PMIC-LEDドライバー, PMIC-電圧レギュレータ-リニア+スイッチング, PMIC-エネルギー計測, インターフェース-ドライバー、レシーバー、トランシーバー, PMIC-バッテリー管理 and PMIC-電圧レギュレータ-リニアを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NYG2S3HBAI4 electronic components. TH58NYG2S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NYG2S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TH58NYG2S3HBAI4 製品の属性
品番 :
TH58NYG2S3HBAI4
メーカー :
Toshiba Memory America, Inc.
説明 :
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
メモリタイプ :
Non-Volatile
メモリフォーマット :
FLASH
技術 :
FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 :
4Gb (512M x 8)
クロック周波数 :
-
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
25ns
アクセス時間 :
-
メモリインターフェース :
Parallel
電圧-供給 :
1.7V ~ 1.95V
動作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
63-BGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
63-BGA (9x11)
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