メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
50V
抵抗-エミッターベース(R2) :
1 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce :
60 @ 100mA, 1V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic :
250mV @ 2mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
500nA
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3