DMNH6012LK3-13 価格設定（USD） [160441個在庫]
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- 品番:
- DMNH6012LK3-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET NCH 60V 60A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMNH6012LK3-13 electronic components. DMNH6012LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH6012LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMNH6012LK3-13 製品の属性
品番 :
DMNH6012LK3-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET NCH 60V 60A TO252
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35.2nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1926pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252-4L
パッケージ/ケース :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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