ON Semiconductor - MBRM1H100T3G

KEY Part #: K6425644

MBRM1H100T3G 価格設定(USD) [334003個在庫]

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品番:
MBRM1H100T3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 100V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 100V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor MBRM1H100T3G electronic components. MBRM1H100T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRM1H100T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRM1H100T3G 製品の属性

品番 : MBRM1H100T3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 100V 1A POWERMITE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 760mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 20µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-216AA
サプライヤーデバイスパッケージ : Powermite
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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