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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG1S3HBAI6

KEY Part #: K939716

TC58BVG1S3HBAI6 価格設定（USD） [26323個在庫]

  • 1 pcs$1.74077
品番:
TC58BVG1S3HBAI6
メーカー:
Toshiba Memory America, Inc.
詳細な説明:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-ゲートドライバー, 組み込み-DSP（デジタルシグナルプロセッサ）, PMIC-フル、ハーフブリッジドライバー, インターフェース-コーデック, ロジック-ラッチ, 組み込み-CPLD（複雑なプログラマブルロジックデバイス）, ロジック-特殊ロジック and ロジック-シフトレジスタを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG1S3HBAI6 electronic components. TC58BVG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG1S3HBAI6 製品の属性

品番 : TC58BVG1S3HBAI6
メーカー : Toshiba Memory America, Inc.
説明 : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
シリーズ : Benand™
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 : 2Gb (256M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns
アクセス時間 : 25ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 67-VFBGA (6.5x8)

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