WeEn Semiconductors - BYV10EX-600PQ

KEY Part #: K6446181

BYV10EX-600PQ 価格設定(USD) [1854個在庫]

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品番:
BYV10EX-600PQ
メーカー:
WeEn Semiconductors
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F. Rectifiers Ultrafast power diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV10EX-600PQ electronic components. BYV10EX-600PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV10EX-600PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV10EX-600PQ 製品の属性

品番 : BYV10EX-600PQ
メーカー : WeEn Semiconductors
説明 : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2V @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220FP
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C
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