Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8ETX06-1PBF

KEY Part #: K6450346

VS-8ETX06-1PBF 価格設定(USD) [431個在庫]

  • 1,000 pcs$0.34323

品番:
VS-8ETX06-1PBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO262.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8ETX06-1PBF electronic components. VS-8ETX06-1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8ETX06-1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8ETX06-1PBF 製品の属性

品番 : VS-8ETX06-1PBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 8A TO262
シリーズ : FRED Pt®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 24ns
電流-Vrでの逆漏れ : 50µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MA3Z79200L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMINI3.

  • RB491D-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23.

  • RB400D-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOT23.

  • RB411D-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOT23.

  • VS-8TQ080SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK.

  • VS-8TQ100SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK.