Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8ETH03-1-M3

KEY Part #: K6443361

VS-8ETH03-1-M3 価格設定(USD) [80621個在庫]

  • 1 pcs$0.48500

品番:
VS-8ETH03-1-M3
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 300V 8A TO262AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8ETH03-1-M3 製品の属性

品番 : VS-8ETH03-1-M3
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 300V 8A TO262AA
シリーズ : FRED Pt®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 300V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 20µA @ 300V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262AA
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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