[1988個在庫]
- 品番:
- RP1L055SNTR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RP1L055SNTR electronic components. RP1L055SNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RP1L055SNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RP1L055SNTR 製品の属性
品番 :
RP1L055SNTR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
49 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
730pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
MPT6
パッケージ/ケース :
6-SMD, Flat Leads
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