DMNH6011LK3-13 価格設定（USD） [138062個在庫]
- 1 pcs$0.26790
- 品番:
- DMNH6011LK3-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMNH6011LK3-13 electronic components. DMNH6011LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH6011LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMNH6011LK3-13 製品の属性
品番 :
DMNH6011LK3-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
49.1nC @ 10V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3077pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.6W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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