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Microsemi Corporation - JAN1N5416

KEY Part #: K6427895

JAN1N5416 価格設定（USD） [8548個在庫]

  • 1 pcs$4.82104
  • 118 pcs$3.81150
品番:
JAN1N5416
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 100V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5416 electronic components. JAN1N5416 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5416, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5416 製品の属性

品番 : JAN1N5416
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/411
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.5V @ 9A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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