Vishay Semiconductor Diodes Division - BZX55F3V6-TR

KEY Part #: K6507706

[9427個在庫]


    品番:
    BZX55F3V6-TR
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZX55F3V6-TR electronic components. BZX55F3V6-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZX55F3V6-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BZX55F3V6-TR 製品の属性

    品番 : BZX55F3V6-TR
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101
    部品ステータス : Obsolete
    電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 3.6V
    公差 : ±1%
    パワー-最大 : 500mW
    インピーダンス(最大)(Zzt) : 85 Ohms
    電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 1V
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.5V @ 200mA
    動作温度 : 175°C
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35

    あなたも興味があるかもしれません
    • BZX55A9V1-TAP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35.

    • BZX55A8V2-TAP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35.

    • BZX55A7V5-TAP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35.

    • BZX55A6V2-TAP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35.

    • BZX55A6V8-TAP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35.

    • BZX55A5V6-TAP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35.