Microsemi Corporation - JANTXV1N6621US

KEY Part #: K6449994

JANTXV1N6621US 価格設定(USD) [4633個在庫]

  • 1 pcs$9.34856

品番:
JANTXV1N6621US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6621US electronic components. JANTXV1N6621US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6621US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6621US 製品の属性

品番 : JANTXV1N6621US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/585
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 440V
電流-平均整流(Io) : 1.2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.4V @ 1.2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 440V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • C3D08065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 25.5A TO252. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 8A

  • FYV0203SMTF

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • MMBD1501

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • MMBD1502A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 1A SOT23-3.

  • MMBD1702A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 30V SOT23-3.

  • MMBD1701A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 30V 50MA SOT23-3.