TK10E60W,S1VX 価格設定（USD） [33399個在庫]
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- 品番:
- TK10E60W,S1VX
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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TK10E60W,S1VX 製品の属性
品番 :
TK10E60W,S1VX
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 500µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 300V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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