NRVB8H100MFSWFT3G 価格設定（USD） [516378個在庫]
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- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 8A 100V SO8FL. Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 A 100 V SCHOTTKY
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NRVB8H100MFSWFT3G electronic components. NRVB8H100MFSWFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVB8H100MFSWFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NRVB8H100MFSWFT3G 製品の属性
品番 :
NRVB8H100MFSWFT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE SCHOTTKY 8A 100V SO8FL
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN, 5 Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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