GeneSiC Semiconductor - MUR10010CT

KEY Part #: K6468590

MUR10010CT 価格設定(USD) [1302個在庫]

  • 1 pcs$33.27217
  • 25 pcs$22.64054

品番:
MUR10010CT
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MUR10010CT electronic components. MUR10010CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR10010CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR10010CT 製品の属性

品番 : MUR10010CT
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 100A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 50A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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