DD1200S45KL3B5NOSA1 価格設定（USD） [51個在庫]
- 1 pcs$700.76735
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE MODULE 1200V 1200A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DD1200S45KL3B5NOSA1 electronic components. DD1200S45KL3B5NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DD1200S45KL3B5NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DD1200S45KL3B5NOSA1 製品の属性
品番 :
DD1200S45KL3B5NOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE MODULE 1200V 1200A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
2 Independent
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
4500V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
-
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.1V @ 1200A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1500A @ 2800V
動作温度-ジャンクション :
-50°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
A-IHV130-4
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