DD1200S45KL3B5NOSA1 価格設定（USD） [51個在庫]
- 1 pcs$700.76735
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE MODULE 1200V 1200A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DD1200S45KL3B5NOSA1 electronic components. DD1200S45KL3B5NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DD1200S45KL3B5NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DD1200S45KL3B5NOSA1 製品の属性
品番 :
DD1200S45KL3B5NOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE MODULE 1200V 1200A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
2 Independent
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
4500V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
-
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.1V @ 1200A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1500A @ 2800V
動作温度-ジャンクション :
-50°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
A-IHV130-4
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