NJVMJD112T4G 価格設定（USD） [293907個在庫]
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- 品番:
- NJVMJD112T4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NJVMJD112T4G electronic components. NJVMJD112T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NJVMJD112T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NJVMJD112T4G 製品の属性
品番 :
NJVMJD112T4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN - Darlington
電流-コレクター（Ic）（最大） :
2A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
100V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
3V @ 40mA, 4A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
20µA
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
1000 @ 2A, 3V
パワー-最大 :
20W
頻度-遷移 :
25MHz
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
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