1N4151W-HE3-18 価格設定（USD） [2422835個在庫]
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- 品番:
- 1N4151W-HE3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4151W-HE3-18 electronic components. 1N4151W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4151W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4151W-HE3-18 製品の属性
品番 :
1N4151W-HE3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
50V
電流-平均整流（Io） :
150mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 50mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
50nA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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