NGTB50N65FL2WG 価格設定（USD） [16156個在庫]
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- 品番:
- NGTB50N65FL2WG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 50A TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTB50N65FL2WG electronic components. NGTB50N65FL2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB50N65FL2WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTB50N65FL2WG 製品の属性
品番 :
NGTB50N65FL2WG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 50A TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100A
電流-パルスコレクター（Icm） :
200A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 50A
パワー-最大 :
417W
スイッチングエネルギー :
1.5mJ (on), 460µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
220nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
100ns/237ns
試験条件 :
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
94ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
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