Infineon Technologies - IDW10G65C5XKSA1

KEY Part #: K6441150

IDW10G65C5XKSA1 価格設定(USD) [16611個在庫]

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品番:
IDW10G65C5XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW10G65C5XKSA1 製品の属性

品番 : IDW10G65C5XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
シリーズ : CoolSiC™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 10A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 10A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 180µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : 300pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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