現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. DRAM
  4. LPDDR4X
  5. K4UBE3D4AM-GHCL

Samsung Semiconductor - K4UBE3D4AM-GHCL

KEY Part #: K7359750

[16429個在庫]

    品番:
    K4UBE3D4AM-GHCL
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、HBM Flarebolt, LPDDR3, LPDDR4, MODULE, LPDDR4X, GDDR6, LPDDR5 and DDR3を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4UBE3D4AM-GHCL electronic components. K4UBE3D4AM-GHCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4UBE3D4AM-GHCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4UBE3D4AM-GHCL 製品の属性

    品番 : K4UBE3D4AM-GHCL
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 32 Gb
    組織。 : x32
    速度 : 4266 Mbps
    電圧 : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    温度。 : -40 ~ 105 °C
    パッケージ : 200FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    最新ニュース

    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    あなたも興味があるかもしれません
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    ホットパーツ