ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

KEY Part #: K938351

IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR 価格設定（USD） [20206個在庫]

1 pcs$2.26779
2,500 pcs$2.11354

品番:: IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

メーカー:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

詳細な説明:: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA. SRAM 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn SRAM

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、PMIC-ゲートドライバー, PMIC-電圧レギュレータ-リニアレギュレータコントローラ, PMIC-モータードライバー、コントローラー, 組み込み-PLD（プログラマブルロジックデバイス）, ロジック-マルチバイブレーター, リニア-アンプ-特別な目的, PMIC-現在の規制/管理 and PMIC-電圧レギュレータ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR electronic components. IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR 製品の属性

品番 : IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

説明 : IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

シリーズ : -

部品ステータス : Active

メモリタイプ : Volatile

メモリフォーマット : SRAM

技術 : SRAM - Asynchronous

メモリー容量 : 4Mb (256K x 16)

クロック周波数 : -

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 8ns

アクセス時間 : 8ns

メモリインターフェース : Parallel

電圧-供給 : 3V ~ 3.6V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 48-TFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ : 48-TFBGA (6x8)

最新ニュース

Silicom MinnowBoard Turbot

あなたも興味があるかもしれません

MR25H10CDCR

Everspin Technologies Inc.

IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM
MR25H10CDFR

Everspin Technologies Inc.

IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM
W25M512JVFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
71V25761S166PFGI8

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
W9812G2KB-6I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

English 日本語