Infineon Technologies - 6MS24017P43W41646NOSA1

KEY Part #: K6532475

6MS24017P43W41646NOSA1 価格設定(USD) [2個在庫]

  • 1 pcs$10630.25691

品番:
6MS24017P43W41646NOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MODULE IGBT STACK A-MS3-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies 6MS24017P43W41646NOSA1 electronic components. 6MS24017P43W41646NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6MS24017P43W41646NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS24017P43W41646NOSA1 製品の属性

品番 : 6MS24017P43W41646NOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MODULE IGBT STACK A-MS3-1
シリーズ : ModSTACK™ 3
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : -
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : -
電流-コレクターのカットオフ(最大) : -
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -25°C ~ 55°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.