NXP USA Inc. - A2T18S261W12NR3

KEY Part #: K6465954

A2T18S261W12NR3 価格設定(USD) [1381個在庫]

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品番:
A2T18S261W12NR3
メーカー:
NXP USA Inc.
詳細な説明:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2T18S261W12NR3 製品の属性

品番 : A2T18S261W12NR3
メーカー : NXP USA Inc.
説明 : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : LDMOS
周波数 : 1.805GHz ~ 1.88GHz
利得 : 18.2dB
電圧-テスト : 28V
定格電流 : 10µA
雑音指数 : -
電流-テスト : 1.5A
電力出力 : 280W
電圧-定格 : 65V
パッケージ/ケース : OM-880X-2L2L
サプライヤーデバイスパッケージ : OM-880X-2L2L