メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8DSO
門型 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
1.1V, 1.7V
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
48ns, 24ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)