GeneSiC Semiconductor - GKN26/08

KEY Part #: K6444771

GKN26/08 価格設定(USD) [2335個在庫]

  • 100 pcs$2.32584

品番:
GKN26/08
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 25A DO4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GKN26/08 electronic components. GKN26/08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GKN26/08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GKN26/08 製品の属性

品番 : GKN26/08
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 25A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.55V @ 60A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 4mA @ 800V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 180°C
あなたも興味があるかもしれません
  • US1GHE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

  • SS16HE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

  • SS210-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM

  • GI818-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.

  • SS5P9-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 5.0 Amp 90 Volt

  • VS-6ESH02HM3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 200V AEC-Q101