HN1C03F-B(TE85L,F) 価格設定（USD） [617873個在庫]
- 1 pcs$0.05986
- 詳細な説明:
- TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B(TE85L,F) electronic components. HN1C03F-B(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1C03F-B(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN1C03F-B(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
HN1C03F-B(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 NPN (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
300mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
20V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
100mV @ 3mA, 30mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
350 @ 4mA, 2V
パワー-最大 :
300mW
頻度-遷移 :
30MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-74, SOT-457
サプライヤーデバイスパッケージ :
SM6
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