Taiwan Semiconductor Corporation - 1N4006GHB0G

KEY Part #: K6430304

1N4006GHB0G 価格設定(USD) [3236035個在庫]

  • 1 pcs$0.01143

品番:
1N4006GHB0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4006GHB0G 製品の属性

品番 : 1N4006GHB0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AL (DO-41)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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