Microsemi Corporation - 1N6630US

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1N6630US 価格設定（USD） [3537個在庫]

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品番:: 1N6630US

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation 1N6630US electronic components. 1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

1N6630US 製品の属性

品番 : 1N6630US

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 900V

電流-平均整流（Io） : 1.4A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 3A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 50ns

電流-Vrでの逆漏れ : 4µA @ 100V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : E-MELF

サプライヤーデバイスパッケージ : D-5B

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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