NXP USA Inc. - MRFE6VS25GNR1

KEY Part #: K6466642

MRFE6VS25GNR1 価格設定(USD) [4356個在庫]

  • 1 pcs$9.94515
  • 500 pcs$9.26481

品番:
MRFE6VS25GNR1
メーカー:
NXP USA Inc.
詳細な説明:
FET RF 133V 512MHZ TO-270-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in NXP USA Inc. MRFE6VS25GNR1 electronic components. MRFE6VS25GNR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MRFE6VS25GNR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MRFE6VS25GNR1 製品の属性

品番 : MRFE6VS25GNR1
メーカー : NXP USA Inc.
説明 : FET RF 133V 512MHZ TO-270-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : LDMOS
周波数 : 512MHz
利得 : 25.4dB
電圧-テスト : 50V
定格電流 : -
雑音指数 : -
電流-テスト : 10mA
電力出力 : 25W
電圧-定格 : 133V
パッケージ/ケース : TO-270BA
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-270-2 GULL

あなたも興味があるかもしれません
  • NPTB00004A

    M/A-Com Technology Solutions

    HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC.

  • RFM12U7X(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH PW-X.

  • RFM08U9X(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH PW-X.

  • PD55025S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10.

  • PD57006S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10.

  • PD57030S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10.