Toshiba Semiconductor and Storage - HN1B01FU-Y(L,F,T)

KEY Part #: K6392377

[6195個在庫]


    品番:
    HN1B01FU-Y(L,F,T)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y(L,F,T) electronic components. HN1B01FU-Y(L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1B01FU-Y(L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1B01FU-Y(L,F,T) 製品の属性

    品番 : HN1B01FU-Y(L,F,T)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    トランジスタータイプ : NPN, PNP
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 150mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 10mA, 100mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 120 @ 2mA, 6V
    パワー-最大 : 200mW
    頻度-遷移 : 120MHz
    動作温度 : 125°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    サプライヤーデバイスパッケージ : US6

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