STMicroelectronics - STB36NM60N

KEY Part #: K6396845

STB36NM60N 価格設定(USD) [11225個在庫]

  • 1 pcs$3.67152
  • 1,000 pcs$3.24951

品番:
STB36NM60N
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STB36NM60N electronic components. STB36NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB36NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB36NM60N 製品の属性

品番 : STB36NM60N
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 105 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 83.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2722pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 210W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • STFW2N105K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF.

  • STFW20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF.

  • STFW12N120K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF.

  • STI20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK.

  • STI28N60M2

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK.

  • STI42N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK.