説明 :
PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
-
抵抗-エミッターベース(R2) :
10 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce :
70 @ 50mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
500nA
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB