GeneSiC Semiconductor - MBR20030CTR

KEY Part #: K6468985

詳細な説明:: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200A Schottky Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR electronic components. MBR20030CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20030CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MBR20030CTR

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode

ダイオードタイプ : Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 30V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 200A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 650mV @ 100A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 5mA @ 20V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Twin Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower

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