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- 品番:
- IPD144N06NGBTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD144N06NGBTMA1 electronic components. IPD144N06NGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD144N06NGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD144N06NGBTMA1 製品の属性
品番 :
IPD144N06NGBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 80µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1900pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
136W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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