SIHD6N65E-GE3 価格設定（USD） [51384個在庫]
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- 品番:
- SIHD6N65E-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 7A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHD6N65E-GE3 electronic components. SIHD6N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD6N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHD6N65E-GE3 製品の属性
品番 :
SIHD6N65E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
820pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
78W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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