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製品
ディスクリート半導体製品
トランジスタ-JFET
J111_D27Z
ON Semiconductor - J111_D27Z
KEY Part #:
K6521712
[4741個在庫]
お問い合わせ価格
品番:
J111_D27Z
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
JFET N-CH 35V 625MW TO92.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、
トランジスタ-IGBT-モジュール
,
トランジスタ-特別な目的
,
ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)
,
トランジスタ-FET、MOSFET-RF
,
トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション
,
ダイオード-整流器-アレイ
,
トランジスタ-JFET
and
トランジスタ-IGBT-シングル
を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor J111_D27Z electronic components. J111_D27Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for J111_D27Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
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J111_D27Z 製品の属性
品番 :
J111_D27Z
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
JFET N-CH 35V 625MW TO92
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
電圧-内訳(V(BR)GSS) :
35V
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
-
電流-ドレイン(Idss)@ Vds(Vgs = 0) :
20mA @ 15V
電流ドレイン(Id)-最大 :
-
電圧-カットオフ(VGSオフ)@ Id :
3V @ 1µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
-
抵抗-RDS(オン) :
30 Ohms
パワー-最大 :
625mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-92-3
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