ON Semiconductor - NSVMUN5314DW1T3G

KEY Part #: K6528919

NSVMUN5314DW1T3G 価格設定(USD) [1074093個在庫]

  • 1 pcs$0.03461
  • 10,000 pcs$0.03444

品番:
NSVMUN5314DW1T3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NSVMUN5314DW1T3G electronic components. NSVMUN5314DW1T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN5314DW1T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVMUN5314DW1T3G 製品の属性

品番 : NSVMUN5314DW1T3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : -
パワー-最大 : 250mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-88/SC70-6/SOT-363

あなたも興味があるかもしれません
  • NSVIMD10AMT1G

    ON Semiconductor

    SURF MT BIASED RES XSTR.

  • IMH20TR1G

    ON Semiconductor

    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC74R.

  • IMH3AT110

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6.

  • IMD9AT108

    Rohm Semiconductor

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6.

  • IMD6AT108

    Rohm Semiconductor

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6.

  • IMB3AT110

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6.