RUF025N02TL 価格設定（USD） [437219個在庫]
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- 品番:
- RUF025N02TL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RUF025N02TL electronic components. RUF025N02TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RUF025N02TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RUF025N02TL 製品の属性
品番 :
RUF025N02TL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
370pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
320mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TUMT3
パッケージ/ケース :
3-SMD, Flat Leads
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